天岳先进2024年半年度董事会经营评述
来源：环球官网app 发布时间：2024-10-28 07:06:06根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴起的产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商，目前主要是做碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，产品可大范围的应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在5G通信、新能源汽车、储能等领域具有明确且可观的未来市场发展的潜力，是半导体产业重要的发展方向。
公司已经实现8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批量供应，主要客户包括国内外电力电子器件、5G通信、汽车电子等领域知名客户。
公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、济宁碳化硅半导体材料生产基地。上海临港（600848）智慧工厂已于2023年5月实现产品交付，是公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。公司积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际有名的公司合作。
公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站、山东省碳化硅材料重点实验室等国家和省级研发平台，拥有一批高素质的研发人员，承担了一系列国家和省部级研发和产业化项目。公司子公司上海天岳与长三角国家技术创新中心、上海长三角技术创新研究院共建了“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”，一同推动碳化硅半导体领域关键核心技术攻关，助力长三角一体化高质量加快速度进行发展，用科学技术创新发展新质生产力。
截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权181项，实用新型专利授权302项，其中境外发明专利授权14项，是国家知识产权示范企业；自设立以来，公司获得了国家制造业单项冠军等多项国家级和省级荣誉，并于2019年获得了“国家科学技术进步一等奖”。
全球能源电气化、低碳化的发展的新趋势明确，2024年上半年全球第三代半导体行业发展保持了强劲势头。碳化硅衬底材料作为第三代半导体行业基石，在电动汽车，光伏新能源、储能、充电桩等终端需求带动下，以及电动汽车800V高压平台的加速推进，进入战略机遇期。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。
2024年上半年，国际市场对高品质导电型碳化硅衬底的需求旺盛，在新能源汽车行业规模化应用，并向其他各领域应用渗透拓展。全球头部企业在衬底材料、晶圆制造环节等产业链关键环节正加快加大布局。
公司是国内技术最全面、国际化程度最高的碳化硅衬底厂商之一，自成立以来坚持在产业链关键环节，深耕技术突破，建立领先竞争优势。
公司将始终以客户为中心，持续进行研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产能、扩大市场占有率，致力于成为国际著名的半导体材料公司。
公司结合日常工作、外部合同、政府项目、市场调查与研究及调研结果分析或者收集的客户的真实需求，并进行清晰准确的描述后提交需求申请。
研发中心选定项目负责人及项目组成员。项目负责人编写《项目立项报告》，内容有项目名称、项目启动背景、可行性分析、项目目标、项目财务预算等。
项目组根据项目需求编写研发设计的具体方案，细化实验方案和实验计划等，并根据设计的具体方案完成实验验证。项目组根据实验结果编写各类研发文件，由专人保管，并安排专人进行项目全过程管理，及时跟进检查各进度节点的完成情况，确保项目按照计划顺利开展。
项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编制《项目验收报告》并交至研发中心审核。项目验收后，研发中心评估研发成果，采取多种手段保护知识产权。
公司采购以“安全、品质”为导向建立了采购相关制度、管理流程及业务规范，在保证产品的质量的前提下，有效保证了供应链的稳定及持续供应。总体上，公司采取“以产定购、战略备货”相结合的采购模式，采购种类包括长晶所需物料、加工所需耗材、生产及检测设备、备品备件等。
公司实行以订单生产（MakeToOrder）为主的生产模式。在生产环节，公司采用信息化系统，制定了完善的生产的全部过程控制程序，建立了一套快速有效处理客户订单的流程，销售部门依照客户订单生成ERP系统内部销售订单，订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审后，下达生产工单给生产部门，生产部门依据生产工单领料并进行生产。质量部进行全过程品质控制，达到“不接收、不制造、不流出”不良品的目的。公司生产模式有利于满足多种客户的需求，有利于提升订单按时交付率、产品的质量一致性和客户满意程度，并有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
公司主要采取直销的销售模式。公司营销中心主要负责对接客户，为客户提供技术上的支持和服务，并承担行业趋势研究、市场调查与研究及公司产品推广等营销工作。
公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术。详细情况如下：
公司的碳化硅单晶生长设备采用真空系统结构和材料设计，可在保持极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了高纯碳化硅粉料和碳化硅单晶生长腔室的纯度。此外，公司对设备自动化程度进行不断的提高，与晶体生长控制软件系统结合，能轻松实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。
碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。公司的热场仿真模拟团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不一样类型、不同尺寸的碳化硅单晶进行精确的热场仿真、模拟和设计，从而满足不同尺寸、不一样晶体的生长技术需求。
碳化硅粉料是碳化硅单晶生长的原料。由于合成环境及使用物料吸附杂质的影响，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。公司研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。
半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，碳化硅单晶电学性能的控制是基于精准的控制生长过程中进入到晶体中的杂质来实现的。
公司基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制，实现了半绝缘碳化硅衬底的高阻电学特性和导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性。
碳化硅中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅包含200多种晶型结构，其中多种晶型结构间的形成能接近，在高温生长过程中易产生晶型转化，从而导致多型夹杂；碳化硅单晶生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。
公司通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和低微管密度的晶体生长；通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，提高了晶体结晶质量；自主研发了晶体生长界面移位控制技术和生长界面C/Si组分调控技术，实现了晶体连续生长的质量稳定可控。
单晶SiC材料的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，而且脆性高，属于典型的硬脆材料。公司开发了多块拼接多线切割技术，解决了相邻碳化硅晶体之间切割质量差的难题，一批次可实现多块晶体的切割；设计了独有的碳化硅晶体切削液配方，大幅度降低了切割片的表面损伤；开发了一整套的多线切割工艺，每项参数均计算出最优的工艺曲线，提高了切割片的面型质量。
由于碳化硅单晶材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。
公司通过多年研究，研发了一整套的碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。例如，双端面研磨工艺中，公司自主设计了研磨液配方、研磨盘面和夹具模型、磨片修盘工艺；多级机械抛光工艺中，公司设计了金刚石磨料和多级抛光组合工艺；强氧化化学机械抛光（CMP）工艺中，公司开发了特有的强氧化性的抛光液配方。
CMP工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面微米级颗粒、沾污、金属离子等。公司自主研制了化学清洗液，开发了5步清洗工艺，可有效去除衬底表面的微小颗粒，在客户端达到了开盒即用的水平。
报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共33项，其中发明专利27项，实用新型6项。
截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权181项，实用新型专利授权302项，其中境外发明专利授权14项。
近年来，全球能源电气化、低碳化的发展趋势，推动第三代半导体行业继续展现增长势头。碳化硅在电动汽车领域的大规模应用，带动其在其他终端场景应用的持续拓展。目前，电动汽车领域仍是碳化硅占比第一的应用领域，而在风光新能源、电网、数据计算中心、低空飞行等领域，碳化硅技术也表现出突出的发展趋势。
碳化硅技术能够助力电动汽车整体性能提升，并能降低整体系统成本，碳化硅器件在电动汽车中的渗透率仍在提高，全球市场对高品质车规级碳化硅衬底需求旺盛。下游应用场景加速渗透的背景下，第三代半导体行业发展远超市场预期。
全球主要国家纷纷加大了在碳化硅半导体领域的战略布局，英飞凌、意法半导体、安森美、博世、罗姆等国际上一线大厂均加大了对碳化硅业务的长期资本开支，碳化硅行业未来具有广阔的发展潜力。
碳化硅衬底材料是第三代半导体行业的基石。公司是国内技术最全面、国际化程度最高的碳化硅衬底厂商之一，自成立以来坚持在产业链关键环节，深耕技术突破，持续建立领先竞争优势。
以公司为代表的碳化硅衬底材料研发、制造企业，以高品质衬底产品的大规模供应能力，推动碳化硅产业加速发展。
2024年上半年，公司继续专注于长远发展战略目标的实现，持续拓展国内外客户群体，加强与全球头部客户长期战略合作，加大前瞻性技术布局和人才培养，致力于成为国际著名的半导体材料公司。
1、聚焦全球市场，持续提升高品质衬底的产能产量布局。2024年上半年，公司上海临港工厂已经能够达到年产30万片导电型衬底的大规模量产能力。
公司2024年上半年实现营业收入9.12亿元，较上年同期增长108.27%。公司连续9个季度保持营收增长趋势。上半年实现归母净利润10,188.83万元，较上年同期扭亏为盈。一方面得益于下游应用市场持续扩大，终端场景对高品质、车规级的产品需求旺盛；另一方面，公司与国内外一线大厂具有良好的合作基础，公司导电型产能产量持续提升，交付能力继续增强。
公司对碳化硅技术在下游应用领域市场规模的长期增长充满信心。公司已经制定战略规划，将继续稳步推进临港工厂第二阶段产能提升。
2、在客户和市场方面，公司继续加强与国内外知名客户开展长期合作，并已成功切入国际大厂的供应链。公司在产品稳定性、一致性上获得国际一线客户认可，包括与英飞凌、博世、安森美等多家国际头部大厂进行了合作。在国内，公司已经与行业内下游环节的主要企业开展合作，共同推动国内第三代半导体的发展。
2023年公司与英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业签署了新的长期合作协议。公司向英飞凌提供6英寸导电型衬底和晶棒，占英飞凌需求的两位数水平，同时公司还将助力英飞凌向8英寸产品转型。
截至目前，全球前十大功率半导体企业超过50%已成为公司客户，公司致力于与客户共同推动碳化硅技术在更多领域的渗透应用。
公司继续加大与国内下游客户的合作。受益于我国电动车渗透率和市场规模的提升，以及电动车领域我国已展现的主导地位，国内下游器件厂商和终端应用厂商对电动汽车核心功率器件的布局加速，国内碳化硅产业链的发展已进入新的机遇期。
根据日本权威行业调研机构富士经济报告测算，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）跃居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的认可度和知名度。2024年上半年，公司衬底产品出货量继续保持领先。
3、在产品方面，公司车规级高品质导电型衬底产品向国际大厂客户大规模批量供应，推动公司本期业绩增长。导电型产品的批量交付和车规级品质广受好评。
从长期降低器件成本上，公司推动行业向8英寸碳化硅衬底转型。公司在8英寸衬底上进行了前瞻性布局，已经具备先发优势和领先地位。公司不仅实现8英寸碳化硅衬底国产化替代，公司8英寸碳化硅衬底已经率先实现海外客户批量销售。
目前，随着国际一线英寸晶圆工厂的建设已经步入陆续投产的阶段，未来8英寸碳化硅衬底需求保持增长趋势。公司将继续扩大8英寸产品的客户验证和销售量。
公司上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底扩产计划正在推进中，公司将分阶段达到规划中的8英寸衬底产能。
2024年上半年，公司研发费用5,620.98万元，继续围绕前瞻性技术、大尺寸产品和关键核心等方面持续投入。
半导体行业是高度技术密集型领域。在宽禁带半导体领域，碳化硅衬备是行业的核心关键环节，衬备技术壁垒高。依托于公司十几年的技术积累和产业化优势，目前公司在在半绝缘型衬底、6英寸碳化硅衬底上已经实现了对海外衬底大厂的赶超。在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英寸导电型衬备到产业化的快速布局，在产品品质和出货量上已经具备引领行业发展的优势，在国际市场具有竞争力。
目前公司在衬备上处于国际第一梯队，持续引领行业发展。公司继续加强基础研究，在晶体生长的缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品品质。公司业内首创使用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。
公司将继续保持在8英寸衬底产业化方面的工艺创新投入，以实现低成本高质量车规8英寸碳化硅衬底的制备。
截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权181项，实用新型专利授权302项，境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。
公司董事长宗艳民在第十二届中国知识产权年会大会发表主旨演讲表示，公司将坚持创新引领发展的理念，重视专利布局，持续提升技术竞争力。
截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计51人，占研发人员总数的45.54%。公司享受国务院特殊津贴专家两人。
2023年公司上海临港工厂顺利实现产品交付，开启了公司发展新篇章。上海临港工厂取得了一系列突飞猛进的进展，目前公司上海临港工厂二阶段产能提升正在持续推进中。
2024年上半年，得益于上海工厂前期模块化高标准的设计，率先打造碳化硅衬底领域智慧工厂的理念，通过AI和数字化技术持续优化工艺的方式，上海临港工厂产能产量持续提升释放，良率水平稳步提高，向客户持续供应高质量的衬底产品。
2024年3月，公司入选山东省发展和改革委员会“总部企业”名单；2024年7月，公司入选山东省工业和信息化厅“新材料领军企业50强”名单。
2024年3月，公司新设立“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”在“2024临港科创大会”上成功揭牌。该创新中心与公司已经设立的“碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心”、“国家博士后科研工作站”、“山东省碳化硅材料重点实验室”等创新平台，持续推动碳化硅技术的产业化进程。
2024年是公司发展的重要战略机遇期，天岳先进始终围绕技术、产能、客户、市场构建长远发展的核心竞争力。经过多年发展，公司技术优势显著，临港工厂的产能产量稳步提升有利保障了客户订单的持续交付。上海临港工厂第二阶段产能提升规划也已正式推进，公司将通过已经建立起来的先发优势，持续提升大尺寸、高品质导电型碳化硅衬底产品的产能产量，服务全球知名客户。
碳化硅技术在终端应用的渗透推动市场需求的持续增长，公司将坚持追求卓越的产品品质，始终为客户创造更大的价值。
公司所处的半导体材料行业属于技术密集型行业，涉及热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械、材料等多学科交叉知识的应用。宽禁带半导体产品具有研发周期长、研发难度高、研发投入大的特点。
在半导体材料领域升级迭代的过程中，若公司产品技术研发创新无法持续满足市场对产品更新换代的需求或持续创新能力不足、无法跟进行业技术升级迭代，可能会受到其他具有竞争力的替代技术和产品的冲击，导致公司的技术和产品无法满足市场需求，从而影响公司业绩的持续增长。
公司加强研发投入，布局前沿技术，若公司高强度研发投入不能转化为产业化经验或为持续的产品品质提升提供助力，或研发投入不足，将对公司持续发展产生不利影响。
若公司相关核心技术内控制度不能得到有效执行，或者出现重大疏忽、舞弊等行为而导致公司核心技术泄露，公司的专利、专有技术或商业机密可能被盗用或不当使用，将对公司的核心竞争力产生负面影响。
半导体材料行业对于专业人才尤其是研发人员的依赖程度较高，核心技术人才是公司生存和发展的重要基石，若公司核心技术人员流失或无法继续培养或招揽，将对公司的研发生产造成不利影响。
报告期内，公司主要产品为导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品。碳化硅衬底产品主要用于新能源、新一代信息通信、微波射频等领域，相关领域下游龙头企业的集中度相对较高，且对衬底的需求较大。
报告期内，公司前五大客户的销售额占2024年上半年销售总额的比例为52.21%，客户集中度较高。如果未来公司依赖上述客户不进行业务拓展，或新客户拓展不及预期，将对公司扩大经营产生不利影响。
报告期内，公司向前五大原材料最终供应商的采购金额占当年度采购总额的69.73%，集中度相对较高。若公司无法寻找合适的替代供应商，一旦主要供应商业务经营发生不利变化、产能受限或合作关系紧张，可能导致供应商不能足量及时出货，将对公司生产经营产生不利影响。
公司正加大碳化硅半导体材料产能建设，以抓住下游电动汽车、储能等市场对碳化硅半导体材料需求快速增长的发展机遇，若公司产能产量提升跟不上市场需求的发展，无法完成订单交付，将对公司经营规模的扩大造成不利影响。
相较于成熟的硅片制造工艺，碳化硅衬底短期内依然会面临制备难度大、成本高昂的挑战。例如，目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系。碳化硅衬底是产业链核心环节，若公司和产业内企业无法持续降低碳化硅衬底成本，可能导致整体行业发展不达预期，对公司的经营产生不利影响。
截至2024年6月30日，公司合并口径累计未分配利润为-19,569.05万元，公司最近一期末存在累计未弥补亏损。
由于碳化硅材料的持续研发需要大量投入，若公司未来因持续投入，或继续进行股权激励等原因导致盈利能力下降或者亏损，则可能导致公司累计未弥补亏损持续为负，公司将无法进行利润分配，进而对投资者的投资收益造成一定程度不利影响。
报告期内公司综合毛利率为23.01%。公司综合毛利率受生产成本、产品售价、产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司必须根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新。若公司未能正确判断下游需求变化，或公司技术实力停滞不前，或公司未能有效控制产品成本等，将可能导致公司毛利率出现波动甚至下降，进而对公司经营造成不利影响。
报告期末，公司存货账面价值为98,265.67万元，占期末流动资产的比例为34.81%。报告期内，公司导电型产品产能产量持续释放，对主要原材料及辅料进行储备，导致报告期末存货金额较大，如果公司工艺技术进步导致储备的材料无法满足生产需求，将产生存货跌价损失，进而对公司经营业绩造成不利影响。
同时，由于碳化硅衬底行业尚处于快速发展阶段，下游客户对衬底参数指标的要求可能随应用需求的变化而更新，若未来下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，公司未及时销售的产成品可能导致跌价损失，进而对公司经营业绩造成不利影响。
报告期内，公司研发费用金额为5,620.98万元，占营业收入的比例为6.16%，投入金额较高。公司持续加大大尺寸衬底等新产品、前瞻性技术等研发，研发投入能否形成研发成果具有一定不确定性，研发成果向经济效益的转化亦存在一定的滞后性，如公司短期内大规模的研发投入未能产生预期效益，可能对经营业绩带来不利影响。
国家出台了《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等一系列政策对宽禁带半导体行业进行支持和鼓励。
若国家降低对宽禁带半导体产业扶持力度，或者国家出台进一步的约束性产业政策或窗口指导等措施，或公司拟投资项目被纳入约束性产业政策监管调控范围，进而导致公司无法扩大生产规模，将对公司运营、持续盈利能力及成长性产生不利影响。
由于宽禁带半导体材料优异的性能，其重要性日益凸显，国内外正加大对宽禁带半导体行业的投资，随着行业内参与者的增加，行业竞争加剧，若公司不能通过技术领先、市场领先等举措持续保持先发优势，将对公司未来的发展产生不利影响。
报告期内，公司计入其他收益的政府补助金额为2,285.76万元，占同期公司收入的比例为2.51%。若未来公司不能继续获得政府补助或获得的政府补助减少，将对公司业绩产生不利影响。
公司还将面临宏观经济和行业波动、产业政策变化、市场竞争加剧等因素带来的经营风险。若未来宏观经济疲软、下游市场需求下滑、国家相关产业政策支持力度减弱、或国际先进企业和国内新进企业的双重竞争态势愈发激烈，都将对公司的生产经营产生不利影响。
目前国际形势日益复杂，地缘政治冲突频发，各国间贸易关系存在不确定性。截至报告期末，公司产品销售覆盖全球多个国家和地区，公司客户包括英飞凌、博世等全球知名电力电子、汽车电子知名企业。公司将持续对海外营销服务网络进行优化。若未来国际形势变化，不排除部分国家将出台条例以限制中国产品进口或使用中国产品，从而影响公司海外业务。
碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，具有极高的技术壁垒。技术迭代更新需要长期持续开展大量创新性的工作，同时需要获取海量的技术数据积累，以完成各工艺环节的精准设计。公司自成立以来，专注于碳化硅单晶半导体的制备技术，经过十余年的技术发展，自主研发出2-8英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬备技术，系统地掌握了碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉料合成技术、不一样的尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电学性能控制技术、不一样的尺寸碳化硅衬底的切割、研磨、抛光和清洗等关键技术；较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，成为全球少数能批量供应高质量4英寸、6英寸半绝缘型碳化硅衬底的企业；公司自成立以来，同时布局导电型碳化硅衬底的研发和产业化；通过持续技术积累实现了6英寸导电型碳化硅衬底批量销售，并自主扩径已经完成高品质8英寸导电型碳化硅衬备。公司保持高强度的研发投入，继续在宽禁带半导体领域加强前沿技术储备。
公司坚持自主研发创新，力争实现全流程知识产权覆盖，不断完善知识产权保护体系，构建完整的技术保护网。公司于2018年被评为国家知识产权优势企业，于2022年被评为国家知识产权示范企业。截至2024年6月末，公司及下属子公司拥有授权专利483项，其中发明专利授权181项，含境外发明专利授权14项，专利技术覆盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等每个技术环节，并建立了完整有效的知识产权保护机制。同时，公司高度尊重全球范围内的知识产权，持续通过专利分析导航来进行预警和完善专利布局。
在商标注册方面，公司在多类别注册了“SICC”及“天岳”商标，并在海外多个国家或地区注册了“SICC”商标，对公司品牌进行保护。
公司自建立以来，承担了多项国家及省部级重大科研项目，包括国家重点研发计划、山东省重点研发计划、山东省重大科技创新工程等国家及省部级项目20余项。公司于2019年获得国家科学技术进步一等奖、2020年获得山东省科学技术进步一等奖、2014年获得山东省技术发明一等奖、2017年获得济南市科技进步一等奖。此外，公司于2015年完成了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产品鉴定、2017年完成了6英寸导电型碳化硅衬底科技成果鉴定和产品鉴定，2023年公司宣布业内首创完成了8英寸导电型碳化硅衬底的液相法制备。目前公司衬底产品性能及核心指标达到国内领先、国际先进水平。
公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站等国家和省级研发平台、山东省碳化硅材料重点实验室。公司强大的科研实力，不仅促进了碳化硅产业的技术进步和结构调整，同时支撑了地方现代化经济体系建设，提升了区域经济的创新力和竞争力。公司子公司上海天岳与长三角国家技术创新中心、上海长三角技术创新研究院共建了“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”，一同推动碳化硅半导体领域关键核心技术攻关、助力长三角一体化高质量快速发展，用科技创新发展新质生产力。
公司在生产方面具有先发优势与规模优势。作为国内较早从事碳化硅衬底业务的生产企业，公司具有丰富的技术储备和生产管理经验、较强的产品质量控制能力和领先的产能规模。随着公司上海临港工厂投产，公司高品质碳化硅半导体材料的产能产量将继续提高，进一步巩固领先的规模优势。
碳化硅衬底作为半导体器件的基础材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试实现最终应用，整个工艺链条生产验证环节复杂、验证周期长。作为上游的关键衬底材料，下游客户一旦通过验证，一般不会轻易变更衬底材料的供应商。
公司在国内较早实现了碳化硅衬底的批量供应，并且产品参数指标优异、性能不断提升，经过了下游企业的长期验证，产品品质得到了客户的高度认可。
公司作为国内较早从事碳化硅衬底业务的企业，公司产品已批量供应至国内外有名的公司。公司是国际上少数几家能同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。公司8英寸导电型产品、6英寸导电型产品、6英寸半绝缘产品、4英寸半绝缘产品实现批量供应，形成了较强的客户资源优势，确保了公司在行业内的领头羊。
碳化硅衬底技术开发和产业化生产需要大量专业的技术人才和管理人才。公司始终重视人才队伍的建设，通过自主培养和引进各类技术和管理人才，提高技术开发能力和生产能力。公司通过技术科研平台不断吸引业内优秀人才加入，公司研发团队成员主要由来自国内顶尖高校的优秀硕士、博士组成，承担并顺利完成了多项国家及省部级重大课题，同时完成了从产品开发到产业化转化的过程，在技术开发和规模化生产过程中积累了大量的实战经验，可以保证后续各项技术开发工作的顺利进行。
证券之星估值分析提示上海临港盈利能力一般，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价合理。更多
证券之星估值分析提示天岳先进盈利能力一般，未来营收成长性较差。综合基本面各维度看，股价偏高。更多
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